باحثون روس وصينيون يطورون ذاكرة فائقة السرعة للهواتف وأجهزة الكمبيوتر لا تفقد البيانات
نجح فريق بحثي روسي - صيني في تطوير نوع جديد من وحدات الذاكرة المخصصة للهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر يحمل اسم "سوت - مرام"، يتميز بسرعات عالية في تسجيل البيانات مع قدرته على الاحتفاظ بها حتى في حال انقطاع التيار الكهربائي.
وأعلنت جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية الروسية أن التقنية الجديدة تتيح كتابة البيانات بسرعة تفوق بعشرات المرات سرعة وحدات تخزين "الفلاش" المستخدمة حالياً، إلى جانب استهلاكها كميات أقل بكثير من الطاقة، ما يجعلها مرشحة للاستخدام في الأجيال المقبلة من الأجهزة الإلكترونية.
وأوضح الباحثون أنهم تمكنوا من تجاوز إحدى أبرز العقبات التي واجهت تطوير هذا النوع من الذاكرة، إذ كانت عملية تبديل خلايا الذاكرة تتطلب في السابق مجالاً مغناطيسياً خارجياً، وهو ما كان يزيد من تعقيد تصميم الأجهزة.
وللتغلب على هذه المشكلة، ابتكر الفريق بنية جديدة مكونة من ثلاث طبقات، تضم طبقتين مغناطيسيتين، إحداهما ممغنطة أفقياً والأخرى عمودياً، يفصل بينهما غشاء فائق الرقة من معدن التنغستن لا تتجاوز سماكته نانومتراً واحداً، أي ما يعادل نحو واحد على مئة ألف من سُمك شعرة الإنسان.
وأظهرت الاختبارات أن طبقة التنغستن الرقيقة قادرة على توليد تيار مغزلي بكفاءة بلغت نحو 15%، وهي نسبة تضاهي كفاءة الطبقات الأكثر سماكة المصنوعة من المعادن الثقيلة، رغم صغر حجمها.
ويعتزم الفريق البحثي خلال المرحلة المقبلة مواصلة تطوير المواد والهياكل المستخدمة لرفع كفاءة هذه الذاكرة، إلى جانب دراسة إمكانية دمجها في خطوط تصنيع مكونات الإلكترونيات الدقيقة الحالية، تمهيداً لاستخدامها في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر مستقبلاً.
للمزيد تابع خليجيون نيوز على: فيسبوك | إكس | يوتيوب | إنستغرام | تيك توك
